В рамках проекта будет решаться задача разработки (доработки имеющихся) критических технологий, необходимых для создания отечественного рентгеновского проекционного литографа.

Разрабатывается и исследуется демонстратор технологии рентгеновского проекционного литографа с длиной волны излучения 11,2 нм, включая такие узлы как источник рентгеновского излучения, использующий индуцированную твердотельным лазером плазму ксенона, и оптический тракт с рентгеновскими зеркалами с коэффициентом отражения более 60%.

Отдельно будет создан экспериментальный образец магнитно-левитирующего столика для перемещения пластин. Разработка будет востребована при создании оборудования для технологической цепочки производства изделий микроэлектроники с топологическими нормами 28 нм и менее.