Открытый конкурс на лучшую инновационную научно-техническую идею или передовое конструкторское, технологическое решение по разработке перспективных электротехнических систем и устройств на основе эффекта высокотемпературной сверхпроводимости

Открытый конкурс на лучшую инновационную научно-техническую идею или передовое конструкторское, технологическое решение по разработке перспективных электротехнических систем и устройств на основе эффекта высокотемпературной сверхпроводимости

Фонд перспективных исследований (далее Фонд) приглашает научно-исследовательские организации, творческие коллективы принять участие в открытом конкурсе на лучшую инновационную научно-техническую идею или передовое конструкторское, технологическое решение по разработке перспективных электротехнических систем и устройств на основе эффекта высокотемпературной сверхпроводимости.

 

Конкурс проводится в два этапа (указанные сроки ориентировочные):

а) первый этап (отборочный) проводится с 01 февраля по 30 апреля 2017 года;
б) второй этап (заключительный) проводится с 01 мая по 30 июня 2017 года;

Заявки принимаются до 18:00 31 марта 2017 года включительно!

 

Основные задачи конкурса:

а) выявление молодых ученых и специалистов и/или творческих коллективов, способных проводить научные исследования прорывного характера и обеспечить достижение качественно новых результатов в области разработки перспективных электротехнических систем и устройств на основе эффекта высокотемпературной сверхпроводимости;

б) определение по итогам Конкурса победителя (победителей) и заключение с ним (ними) соглашения (соглашений) на подготовку документации на реализацию за счет средств Фонда аванпроекта по разработке перспективных электротехнических систем и устройств на основе эффекта высокотемпературной сверхпроводимости;

в) повышение интереса молодых ученых и специалистов к решению научно-технических задач в области развития высокотемпературной сверхпроводимости, значимых для обороны страны, безопасности государства и развития промышленности, медицины и социально-экономической сферы.

Цель конкурса — отбор лучших Идей или Решений по разработке перспективных электротехнических систем и устройств на основе эффекта высокотемпературной сверхпроводимости и их авторов для подготовки документации на реализацию за счет средств Фонда аванпроекта с последующим его выполнением.

Для организационной поддержки формируется конкурсная комиссия, в состав которой входят представители Фонда и ведущие специалисты в области высокотемпературной сверхпроводимости из числа сотрудников организаций потенциальных потребителей.

По окончании первого (отборочного) этапа конкурса на базе Фонда проводится семинар с участниками, прошедшими во второй этап, в целях ознакомления с требованиями Фонда к подготовке презентации Идеи или Решения.

Подробности процедуры отбора призеров и победителей указаны в конкурсной документации.

Подробная информация о порядке организации и проведения Конкурса, его информационном и методическом обеспечении, форме участия в Конкурсе и процедуре определения победителей указана в конкурсной документации, размещенной на сайте Фонда.

В целях проработки практической реализуемости предлагаемых Идей и Решений при подготовке заявки на участие в Конкурсе заявителям предлагается использовать следующие характеристики промышленно выпускаемого сверхпроводящего провода (ленты):

 

  Параметр Значение  
  Ширина ленты, мм 4 12
  Толщина ленты, мкм 150 150
  Предел прочности на разрыв, МПа 500 500
  Критический ток при температуре 77К, А до 150 до 500
  Критический диаметр изгиба, мм 22 22
  Однородность тока ±10% ±10%

 

По всем вопросам, касающимся проведения конкурса, просьба обращаться по адресу: superconductivity@fpi.gov.ru или к Воронову Алексею Сергеевичу по телефону +7 (499) 418-00-25 доб. 603.

 

КОНКУРСНАЯ ДОКУМЕНТАЦИЯ

 

По результатам рассмотрения докладов и презентаций материалов заявок в ходе очной сессии 2 этапа Конкурса, Конкурсной комиссией принято решение признать победителями Конкурса следующие заявки творческих коллективов под руководством:

1. Тургалиева В.М.
2. Черных И.А.
3. Желтова В.В.
4. Снигирева О.В.